Электронная очищенность плюс газы C4F6 специальности для TFT - производства LCD

Электронная специальность наполняет газом C4F6 используемое во время изготовления полупроводника и производства TFT-LCDs

Описание:

C4F6 новые экологически дружелюбные, высокопроизводительный, вытравляет химию для своего диэлектрика вытравляет IPS (TM) Centura (r) и диэлектрик вытравляет супер системы e (TM) Centura. Газ C4F6 может обеспечивает более высоко для того чтобы вытравить тарифы, улучшать управление профиля и более высокая селективность к фоторезисту в критическом диэлектрике вытравляет применения.

Газ C4F6 улучшает диэлектрик вытравляет отростчатые результаты в важнейших областях как медный двойной житель Дамаска, само-выровнянный контакт и высокий контакт коэффициента сжатия вытравляет применения, включая низкие материалы k. Он также показывает значительные экологические преимущества над течением вытравляет химии.

Индустрия полупроводника расследовала новые химии газа в усилии уменьшить излучения глобального потепления. В дополнение к улучшать для того чтобы вытравить проведение процесса, газ C4F6 отличает низкими излучениями глобального потепления и нул потенциалами расхода озона.

Применения:

1. C: Коэффициент f в молекуле c₄ f₆ достаточно высок для того чтобы контролировать количество полимера на поверхности камеры и поверхности вафли по отношению к f вытравляя радикалы так достигая главных результатов над другими газами для произведения вертикального профиля. Важный, свои внутреннеприсущие характеристики позволяют высокой селективности к субстрату или фоторезисту и более широкому отростчатому окну сравненным к c₄ f₈.

2. Это поведение особенно полезно для обращения к потребности на подводная лодка требования к 0,25 m. Ar используется в результаты селективности несущей газа но нитрида убывающая функция для Ar.