Непахучие C4F6 наполняют газом экологически дружелюбные чистые продукты газа для вытравляют химию

C4F6 наполняют газом экологически дружелюбный газ для вытравляют химию

Описание:

Hexafluoro-1,3-butadiene (C4F6) относительно новые вытравляет газ для производства полупроводниковых устройств, особенно в критическом вытравляет процессы которым нужна высокие коэффициенты сжатия и селективность. Оно может совместить очень высокую эффективность с доброкачественным влиянием окружающей среды. Этот газ был доступным на промышленном масштабе только недавно и мы чувствовали потребность увеличить данные в нашем владении на своем поведении и в камере плазмы и в средствах доставки газа.

Интенсивности иона, и абсолютные полные концентрации тока иона измерили оба для разрядки произведенной в чистом C4F6 и в смеси с аргоном. К тому же, коэффициент радикальных плотностей по отношению к измеренным CF использующ измерения спектроскопии абсорбции подводн-миллиметра и спектроскопии оптически излучения для нескольких давлений газа и коэффициентов смеси газа. Сравнение с c-C4F8 сделано.

Материальную совместимость этого газа, который показывают как этот „экзотический“ газ можно обращаться со стандартными материалами. Самые значительные преимущества газа C4F6 выступанные явно от своего продемонстрированного представления для ряда все больше и больше выдвинутый требовать вытравляют процессы которые требуют сопутствующей высокой селективности к 193 фоторезистам nm, hardmasks, и разнообразие underlayers пока сохраняющ критическое управление размера и профиля. Преимущества C4F6 основали для того чтобы вытравить процессы, как высокий контакт коэффициента сжатия/через вытравите, высокая маска селективности открытая, и двойной житель Дамаска вытравляет процессы, начатые на etcher прикладных материалов диэлектрическом, и обсужены анализы данных по излучений PFC.

СТАБИЛЬНОСТЬ И РЕАКТИВНОСТЬ

ТОКСИКОЛОГИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Применения:

1. Новое поколение газа вытравливания полупроводника.

альтернативные плазмы газа 2.Perfluorocarbon для отверстия контакта вытравляют.

3.Plasma вытравляя процессы для приборов микрона Подводн-квартала: